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元件参数资料
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参数目录50005
> DMN62D0SFD-7 MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
型号:
DMN62D0SFD-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN62D0SFD-7 PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.87nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
30.2pF @ 25V
功率 - 最大
430mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-UDFN
供应商设备封装
3-X1DFN1212
包装
带卷 (TR)
其它名称
DMN62D0SFD-7DITR
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